三星1c DRAM良率破80% HBM4競爭力同步升溫
- 蔡云瑄／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）第六代10奈米級（1c）DRAM良率傳已突破80%，步入量產穩定階段。市場預期，在技術競爭力與良率提升加持下，可望改善獲利結構。據韓媒ET News引述業界消息，三星內部已確保1c D...
會員登入
會員服務申請/試用
申請專線：
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
關鍵字
