不採3D堆疊？傳三星10奈米以下DRAM擬以4F Square Square突破
- 江承諭／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）傳將研發4F Square DRAM記憶單元結構，可在不改變節點的情況下，將晶粒（die）面積縮小為目前的30%左右。韓媒Theelec引述業界消息指出，三星近期為了實現4F...
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