記憶體大廠CES大秀HBM實力 AI、雲端、高速傳輸新品動能備出
- 韓青秀／台北
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記憶體產業復甦跡象明確，AI浪潮快速興起，各家記憶體大廠積極掌握先進製程商機作為成長動能，隨著記憶體成為雲端伺服器及AI終端應用不可或缺的要角。
此次2024年CES期間的各大記憶體廠均以AI為聚焦重心，HBM、高速傳輸等新品呈現百花齊放，率先搶攻記憶體從谷底翻身的成長契機。
儘管各大記憶體廠仍背負營運虧損的壓力，但生成式AI採用高頻寬記憶體（HBM）推動價格倍速翻漲，讓記憶體產業從過去標準化的量產規模競爭，走向客製化的高技術含量競爭。
近期市場傳出，大客戶NVIDIA提前支付數億美元預付款給SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），以確保2024年AI GPU搭配HBM3E的供貨穩定，並降低記憶體業者財務及投資的壓力。
尤其以SK海力士2023年已在HBM領域搶先攻下一城，取得全球市佔逾5成的領導地位，而三星電子（Samsung Electronics）也緊追在後。
據傳，HBM3、HBM3E陸續結束產品測試，可望與NVIDIA簽訂供應合約，兩家韓系記憶體廠不僅在HBM互別苗頭，交鋒戰場延伸至CES展會，並擴大戰線至雲端伺服器的記憶體介面CXL（Compute Express Link）的布局。
SK海力士在CES展示了HBM3E，號稱是業界最高的每秒1.18 TB的資料處理速度，滿足AI市場在快速處理海量資料的需求，與前一代產品相比，速度將提高了1.3倍，資料容量也提高1.4 倍，獨家開發的MR-MUF技術更是SK海力士的強調重點，提升散熱性能約10%。
SK海力士預計將於2024年上半年量產HBM3E，至於CXL透過擴展記憶體和提高AI應用性能受到關注，預計在AI時代下將與HBM3E發揮相乘的關鍵效益。
三星針對生成式AI的DRAM方案有三大領域，分別為12奈米32 Gb DDR5 DRAM、HBM3E以及CXL記憶體模組產品。
其中，32Gb DDR5 DRAM 是目前單晶片容量最大的DRAM產品，而CXL介面雖然過去推動多年，但AI商機帶來新機會，三星認為，透過在伺服器前端安裝CXL介面的模組產品，將能大幅增加每台伺服器的記憶體容量，將適合用於處理大量資料的生成式AI平台。
隨著生成式AI應用逐漸地從雲端資料中心擴展至終端邊緣裝置，內建AI功能的PC將在2024年先後登場推出，美光在CES展出的LPCAMM2記憶體被視為AI PC的最後一哩路，採用LPDDR5X DRAM，但更強調降低功耗及節省空間。
美光強調，LPCAMM2已開始送樣，預計於2024年上半年量產，將導入多家PC大廠的筆電新品。
不僅三大記憶體廠在CES大打AI商機，台廠鈺創也在CES首度亮相4Gb DDR3 LRTDRAMTM(Long Retention Time Dynamic Random-Access Memory)，鎖定在AI應用、KGD異質整合封裝、車載等高溫應用情境的創新型記憶體，以獨家首創的長效資料保存技術為重點訴求。
由於AI應用在高速運算的需求下，傳統DRAM受限於先天物理特性，存取效能會隨著溫度上升而衰減。鈺創表示，4Gb DDR3 LRTDRAM可在攝氏122度的高溫下達到超過104毫秒的100%長時保留，目前4Gb DDR3 LRTDRAM相關驗證已經完成，並開始送樣給客戶。
責任編輯：陳奭璁
