美光SOCAMM逆襲韓廠搶先機　力成助攻奪大單

美光重兵部署HBM，擴大LPFFR5X委外封測訂單需求，帶動力成等業者接單受惠。李建樑攝（資料照）

高階記憶體競爭加劇，近期美光（Micron）搶先韓系競爭對手，成為首家NVIDIA供應次世代記憶體模組SOCAMM的記憶體業者。

而供應鏈傳出，SOCAMM採用LPDDR5X晶片堆疊組成，隨著美光擴大LPDDR5X委外封測訂單，記憶體封測龍頭力成作為主要受惠廠商，不僅助攻美光奪大單，第2季起LPDDR5X封裝出貨吞下營運大補丸，後勢潛力備受看好。

DRAM三大廠正面交鋒的戰火，從高頻寬記憶體（HBM）延伸至高階伺服器記憶體。

雖然NVIDIA曾先後委託三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）和美光開發SOCAMM記憶體模組，最終美光竟成為第一家獲得量產批准的公司，以市佔老三之姿逆襲DRAM老大哥，也讓韓系競爭對手大感震撼。

SOCAMM為NVIDIA構思的記憶體模組，透過16個堆疊成四組的LPDDR5X晶片組成，相較HBM作為AI GPU的DRAM主角，SOCAMM則連接至掌控整個系統的CPU，扮演輔助支援的角色，以確保AI加速器達到峰值效能。業界認為，預料SOCAMM將納入NVIDIA於2026年推出AI加速器「Rubin」。

美光不僅搶先三星與SK海力士取得量產許可，也成為全球首家、且唯一同時出貨HBM3E及SOCAMM產品的記憶體廠商。

近期美光重兵部署HBM產能，預計在2025年下半將市佔率拓展20~25%。不過，HBM連帶排擠到DDR5/LPDDR5X相關產能，包括原本的封測產能轉作為HBM封測使用，使得DRAM封測產能將擴大委外訂單。

力成多年與美光合作緊密，過去提供LPDDR5X晶片封測，專為NVIDIA打造的SOCAMM模組，其LPDDR5X更加強調散熱及效率提升，才足以應付AI算力提升的負載要求。

據悉，美光為SOCAMM模組客製化生產的LPDDR5X，從第1季開始小量交由力成進行封裝，第2季進入大量生產，第3季出貨維持高檔。預估下一代AI伺服器將配備4個SOCAMM模組，以LPDDR5X晶片數量計算，相當於256顆晶片，市場預期，高階LPDDR5X封裝需求將可望延續成長力道。

雖然先前外界傳出，力成有望拿下美光HBM訂單，爭取舊款HBM2封裝商機，但三大DRAM廠將下一波重點聚焦於HBM4再定生死勝負，競爭持續向高階升級，目前舊款HBM2委外訂單並未敲定。

且因應客戶轉變策略，希望朝向HBM3E或以上發展，將持續與客戶合作進入到更高階的HBM研發，力成近期採購HBM熱壓鍵合（TCB）設備陸續進駐到位，預期HBM3E布局有望在2025年下半取得大幅突破。

另一方面，三大DRAM廠先後釋出停產DDR4，不僅讓南亞科、華邦電的供貨水漲船高，在整體產業供需轉變下，記憶體封測廠南茂第2季記憶體接單表現也優於預期。

由於DDR4價格反彈，台系客戶積極建立DDR4庫存水位，如南茂過去DDR4業務主要以利基型應用為主，進而推動第2季DDR4接單需求大增。

受惠於記憶體營收動能價格回升，南茂原本看好，第2季記憶體整體動能優於顯示驅動晶片（DDIC）產品，尤其以NOR Flash能見度最好。不過近月觀察，DRAM及NAND Flash需求也均優於預期，反映其市場價格反彈，NOR Flash則維持原先預期的成長表現。

隨著任天堂（Nintendo）Switch 2上市預購熱賣，南茂預期，ROM產品將可望在第3季進入傳統備貨旺季，較第2季將能呈現顯著成長的出貨力道。

至於DDIC產品隨著中國補貼政策結束後，第2季出貨陷入低迷，2025年下半將進一步觀察客戶新機效應的旺季表現。

責任編輯：何致中