三星1c DRAM量產在即 力圖改寫HBM4戰局 智慧應用 影音
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三星1c DRAM量產在即 力圖改寫HBM4戰局

  • 陳玟靜綜合報導

三星電子(Samsung Electronics)成功開發出採用10奈米級製程的第六代1c DRAM,並進入量產前的最後階段。距離2025年下半量產第六代高頻寬記憶體(HBM4)的目標,再向前邁進一步。據韓媒Money Today、E...

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