韓媒揭三星記憶體事業近況：HBM4用1c DRAM良率僅35%
- 蔡云瑄／綜合報導
近日韓媒揭露三星電子（Samsung Electronics）記憶體事業進度，包含第六代10奈米級（1c） DRAM、第六代高頻寬記憶體（HBM）的進展。吸引外界關注的是，三星用於HBM4的1c DRAM以冷測試（Cold Test）為基準的良率約落在35...
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