SK海力士啟動1c DRAM產線轉換 為HBM4E量產鋪路
- 蔡云瑄／綜合報導
SK海力士正將2026年的投資重心轉向第六代10奈米級（1c）DRAM製程，加速準備1c DRAM量產。韓媒解讀，在人工智慧（AI）需求暴增下，SK海力士此舉將決定第七代高頻寬記憶體（HBM4E）、伺服器DRAM的效能與成本優勢。
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