三星制定新藍圖 客製化HBM4E基礎裸晶進入後端設計階段
- 蔡云瑄／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）傳內部已制定新的高頻寬記憶體（HBM）藍圖，並正在開發的客製化第七代高頻寬記憶體（HBM4E），且HBM4E基礎裸晶（base die）已進入後端設計階段，可望於2026年5、6月完成。
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