長江存儲「跨界首攻」LPDDR5工程品送樣　NAND亦扛起政策任務

長江存儲跨界搶攻DRAM版圖，NAND供應主力轉以穩定內需供應鏈為重心。韓青秀攝（資料照）

記憶體缺貨嚴峻持續擴大，供應鏈傳出，隨著國際記憶體原廠快速傾斜至伺服器市場，導致消費性、汽車市場等將首當其衝，中系NAND Flash領導大廠長江存儲傳將被賦予關鍵的「維穩」大任，優先支持中國特定產業與應用，確保內需供應鏈穩定，以避免發生斷供、企業裁員的惡性衝擊。

供應鏈人士也透露，長江存儲已不滿足於僅作為3D NAND的中國領頭羊，近來低調切入DRAM與高頻寬記憶體（HBM）技術領域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開發，預計2026年下半啟動的武漢三期新廠，近期已經封頂，並將以DRAM為擴產重心。隨著在產能擴張與政策任務的雙重驅動下，未來可望重塑全球記憶體版圖。

對此，長江存儲發言體系在記者截稿前並未予回應。

長江存儲進攻HBM前　先行布局DRAM

先前外界曾傳出，長江存儲將以鍵合（bonding）技術投入HBM開發，由於長江存儲先前已透過混合鍵合技術應用於NAND製造，如今要擴大挑戰至HBM前，投入DRAM生產製造也是必經之路。

據悉，長江存儲採取「鴨子划水」低調策略，內部提早進行DRAM研發製程，而武漢三期將以DRAM與NAND各約一半的比重進行產能分配，成為長江存儲的第一個DRAM生產據點。

供應鏈業者指出，長江存儲LPDDR5初步樣品已經完成，證明其技術路徑大致完備。

長江存儲跨界搶入DRAM首波直接瞄準LPDDR5，則具有雙重考量：

一來LPDDR5可導入於中系品牌的智慧型手機供應鏈，其次，考量到資料中心對功耗及能耗等考量，LPDDR5將與資料中心與企業級固態硬碟（SSD）的節能需求相輔相成，但未來長江存儲可望向標準型DDR5以及目前最熱門的HBM推進，進一步攻佔高階運算市場。

一家救全村？　中國政策仍是關鍵

除了向DRAM版圖擴張，短期內在NAND供應急缺下，長江存儲近期肩負「一家救全村」的重責大任。

供應鏈分析指出，隨著三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等海外原廠為追求高毛利，導致低毛利率的消費性應用及汽車市場，遭到變相放棄，雖然不少台系業者透露，近期轉向長江存儲採購NAND Flash相對順暢，但中國政府官方政策恐將再度改變此一局面。

據悉，中國官方私下要求，長江存儲不可偏廢單一高利潤市場，必須均衡配置貨源，優先確保本土內需的供應鏈安全，而消費電子如手機與汽車產業更是中國最重要的市場。

儘管長江存儲本身的NAND產能相對有限，但優先供應國產內需市場，至少足以維持許多企業「生命線」。

由於全球NAND原廠近年擴產規劃保守，位元產出成長不如往年約30%的高速擴張模式，業界推估，2026年全球NAND原廠總產出約落在1,100~1,200EB，其位元成長率僅約10~15%，導致供給缺貨難以解決。

NAND Flash結構性缺貨　仍難緩解

群聯執行長潘健成認為，AI推論產生的儲存需求，呈現無上限的成長。依照市場成長趨勢來看，任何一家NAND原廠的單獨擴廠，幾乎無法影響現今漲價與缺貨現況，估計全球NAND供給缺口將近20%。

近期市場傳出，長江存儲提前導入三期新廠進入量產，但即便是加快擴廠的供給量，光是要滿足全中國的需求仍是遠遠不夠。

根據其他NAND原廠估計，目前雲端服務（CSP）業者對NAND總需求量，對照於現在全球NAND的總供給量，供不應求的缺口也接近15~20%，仍導致整個NAND產業呈現嚴重結構性的供給短缺。

 
責任編輯：何致中