三星HBM4E傳採2奈米製程 以IDM優勢搶攻AI半導體
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）傳計劃在下一代高頻寬記憶體（HBM）的基礎裸晶（base die）上導入2奈米製程，以同時提升技術競爭力。業界認為，作為全球DRAM市佔第一、晶圓代工市佔第二的企業，三星正以其IDM企業的優勢作為在AI半導體競...
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