三星HBM4良率突破關鍵 4奈米PMBIST轉換獲NVIDIA好評 智慧應用 影音
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三星HBM4良率突破關鍵 4奈米PMBIST轉換獲NVIDIA好評

  • 江承諭首爾

三星電子(Samsung Electronics)透過第六代高頻寬記憶體HBM4,加速追趕當前在HBM市場領先的SK海力士(SK Hynix)。特別是採取4奈米最新技術的同時,將記憶體內建測試架構從傳統MBIST,升級為可程式化的PMBIST,成為三星...

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