三星HBM4用DRAM良率傳未達60% 力拚2026年內實質提升
- 陳玟靜／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）傳將於2026年內，完成第六代高頻寬記憶體（HBM4）所用DRAM良率的實際提升。儘管目前三星的10奈米1c DRAM良率雖已比預期提升得更快，但在HBM4的生產上，卻傳出實質有效良率仍有待進一步改善。
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