HBM5後擴大應用混合鍵合不可避 南韓設備、材料商研發加速
- 江承諭／首爾
高頻寬記憶體（HBM）堆疊層數持續增加，晶片間鍵合精度與訊號傳輸效率也更為要求。在南韓，當地半導體材料及設備業者加速投入混合鍵合（Hybrid Bonding；HB）技術研發，從整合式鍵合設備到高純度、高選擇性材料，跨領域合作為新一代記憶體技術的競爭關鍵。
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