HBM5速度拚提升50% 三星規劃導入2奈米GAA基礎晶粒
- 范維君／綜合報導
三星電子（Samsung Electronics）規劃在次世代高頻寬記憶體（HBM）HBM5的基礎晶粒（base die）上，導入環繞式閘極（GAA）2奈米晶圓代工製程。若能如期實現，代表三星在HBM4與HBM4E之後，將持續把最先進邏輯製程導入HBM...
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