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產品/技術

因應高效能與即時上市要求 CoWoS與SiP將成人工智慧重要封裝技術

2017年為4位元3D NAND Flash技術元年 耐久度與傳速等課題待克服

雙次堆疊技術有助提升3D NAND Flash良率 業者考量成本 各有不同規畫

MEMS麥克風於性能提升採下聲孔封裝相對有利 上聲孔方式亦持續改良

AI熱潮為高頻寬記憶體帶來新機遇 立體封裝成本及互連技術成競爭關鍵

2017年UFS漸成高階手機用NAND Flash主流規格 2018年向中低階市場擴散

3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術發展關鍵課題

原子層沉積適用於多層3D NAND Flash 然製程時間與成本增加為新課題

3D NAND Flash層數增加 於薄膜蒸鍍製程面臨生產效能與沉積層彎曲課題

Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力 然良率與成本問題待解決

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研究項目

Slide Show─
為投影片搭配仔細解說的服務模式,提供具時效性的ICT產品產銷、展場觀察等研究成果,同時可直接作為會員簡報材料。
Insight─
為深入研究觀點與發現的即時服務,內容包括重要事件評論、重要產業資訊的揭露等。
Data Point─
以1個圖表搭配簡潔文字說明,提供圖文並茂的資料庫服務。