ROHM開始量產具業界頂級效能650V耐壓GaN HEMT

ROHM量產頂級效能650V耐壓GaN HEMT 有助提升伺服器和AC適配器等電源系統效率並實現小型化。ROHM

半導體製造商ROHM已開始650V耐壓GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT 1「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產，該二款產品非常適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。

據悉電源和馬達的用電量佔全世界用電量的一半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵，SiC（Silicon Carbide：碳化矽）和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產；2023年3月又確立了能大幅發揮GaN效能的控制IC技術。此次為助力提升電源系統效率和實現小型化，ROHM再推出元件效能達到業界頂級水準的650V耐壓GaN HEMT。

新產品是由ROHM與Delta Electronics, Inc.（以下簡稱 台達電子）的子公司—專注於GaN元件開發的Ancora Semiconductors Inc.（以下簡稱 碇基半導體）聯合開發而成，在650V GaN HEMT的元件效能指數（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss 2）方面，達到了業界頂級水準。因此新產品可以大幅降低開關損耗，進一步提高電源系統效率。另外新產品還內建ESD 3保護元件，將抗靜電能力提高至3.5kV，有助提高應用產品可靠性。不僅如此，新產品還具有GaN HEMT元件的優勢—高速開關工作，有助週邊元件小型化。

ROHM將有助應用產品節能和小型化的GaN元件命名為「EcoGaN 系列」，並不斷致力進一步提高元件效能。除了元件開發，ROHM還積極與業界相關企業建立戰略合作夥伴關係並推動聯合開發，助力提升應用產品效率並實現小型化，持續為解決社會問題貢獻力量。