宜普公司發布第九階段可靠性測試報告

宜普電源轉換公司(EPC)發布第九階段可靠性測試報告，記錄了受測的氮化鎵元件全部通過數百萬個元件—小時的應力測試而沒有發生故障。

宜普電源轉換公司的第九階段可靠性測試報告表明所有受測的元件都通過了嚴謹的熱機械可靠性測試。過去已發布8份關於產品可靠性的測試報告，第九階段可靠性測試報告進一步累積與氮化鎵技術相關的知識，與工程師分享對氮化鎵技術的學習研究。

宜普公司首席執行長及共同創始人Alex Lidow博士表示，要展示全新技術的可靠性是一個重大的挑戰。宜普非常重視所有產品的可靠性。第九階段可靠性測試報告闡述採用晶圓級晶片尺寸封裝的氮化鎵產品無論在可靠性、成本及性能方面都比矽基元件優越，是替代矽技術的首選半導體技術。丟棄封裝的時候終於來臨了。

EPC公司的場效應電晶體(FET)及積體電路採用晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)，可以提高性能、降低成本及把元件的佔板面積減至最小而同時提高可靠性。WLCSP具備優越的散熱性能，於終端應用中焊接元件到PCB時，這是非常重要的。第九階段可靠性測試報告主要闡述電路板熱機械可靠性。

所選的受測元件採用不同的封裝尺寸及焊接布局和配置，並且使用預測焊點的完整性的模型。客戶可以利用本報告所述的熱機械應力模型來預測元件於各種特定最終應用中的可靠性。在與最終應用相關的任意壓力條件下，客戶可利用焊點應變之間的相關性和元件的熱疲勞壽命，利用模型來預測熱迴圈？循環引致的元件故障。

從這九份可靠性報告所累計的資料可以看到，eGaN FET及積體電路是非常可靠的器件，以及在目前的終端產品的合理壽命內，eGaN FET及積體電路的失效概率是非常低的。與矽元件相比，報告描述了氮化鎵技術具備卓越的性能、成本及可靠性，丟棄採用較低可靠性封裝的矽元件、轉用晶片級氮化鎵場效應電晶體及積體電路的時候終於來臨了。