SK海力士傳提前量產1c DRAM NAND也測試新技術 智慧應用 影音
Microchip Computex
IBM 數位行銷

SK海力士傳提前量產1c DRAM NAND也測試新技術

  • 江承諭綜合報導

SK海力士(SK Hynix)傳將加速10奈米級第6代DRAM(1c)的研發及量產,若能在2024年內達成,將有助縮小與三星電子(Samsung Electronics)的差距。NAND Flash領域也開始投入新設備測試,以在高層數堆疊競爭中取得技術優勢...

會員登入


【範例:user@company.com】

忘記密碼 | 重寄啟用信
記住帳號密碼
★ 若您是第一次使用會員資料庫,請先點選
【帳號啟用】

會員服務申請/試用

申請專線:
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
會員信箱:
member@digitimes.com
(一個工作日內將回覆您的來信)