Neo最新3D X-DRAM設計 容量為傳統DRAM技術10倍
- 涂翠珊／綜合外電
美國3D記憶體業者Neo Semiconductor（以下簡稱Neo）發表「1T1C」、「3T0C」兩款全新3D X-DRAM設計，概念驗證測試晶片預計2026年推出。新款3D X-DRAM單模組容量高達512Gb，為傳統DR...
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