Nexperia利用增強型SOA縮小熱插拔管腳尺寸

與D2PAK相比，可節省80%的占板面積和75%的高度。WPI

隨著全球數十億用戶的生活方式變得日益靈活，通過Wi-Fi、4G和5G建立與雲端的穩定連接至關重要。為了滿足這種需求，超大規模計算解決方案和高速5G電信系統一直保持強勁增長。同時，運營商力圖在更小的外形尺寸中實現更高的性能水準和效率，推動了從傳統12 V伺服器機架到48 V背板架構的轉換。為了支持這種轉換，Nexperia推出了適用於熱插拔和軟啟動的最新80 V和100 V ASFET，採用LFPAK56E封裝，為功率密度設定了新基準。

超大規模計算通常依賴於具有超高可擴展性的伺服器架構和虛擬網路。要確保設備全天24小時保持連接，熱插拔功能仍然是一種關鍵功能。但是，要在開關效率和強大安全工作區(SOA)方面達到要求的性能水準，以前只能通過D²PAK封裝(160 mm2)來實現。借助Nexperia的新型ASFET，設計人員可在30 mm2 LFPAK56E封裝中提供所需的低Rds(ON)值和強大線性模式性能。

增強型SOA MOSFET

Nexperia近期發布的NextPower 80 V和100 V優質MOSFET提供顯著改善的Rds(ON)值，並採用行業相容的5x6 mm管腳尺寸。這些新型ASFET採用了專有的增強型SOA工藝，將SOA性能增強了3至4倍，因而特別適合線性模式開關應用，例如熱插拔和軟啟動、e-fuse和電池管理。

對於通常更容易受到元件影響的48 V電信系統，100 V器件可提供最佳的瞬變、雷擊和電纜電感抗性。相反，計算伺服器和工業應用一般受到很好的保護，可以免受這些因素的影響，因此80 V器件提供更低的Rds(ON)和改善效率，因為I²R損耗較低。

對於需要更低Rds(ON)值和更強SOA的應用，Nexperia還在LFPAK88封裝(PSMN2R3-100SSE和PSMN1R9-80SSE)中提供首批器件樣品。這些LFPAK88器件的RDS(on)值將低至1.9 mΩ，預定於2022年底量產。此外，其管腳尺寸僅為64 mm2，與現有的D2PAK類型相比，可將佔用的PCB面積縮小大約60%，將Rds(ON)值降低大約50%。

散熱性能

SOA性能取決於熱穩定性，資料手冊上MOSFET的SOA性能曲線是在25°C溫度下繪製的。如果PCB/環境溫度超過了這個溫度，設計工程師必須相應地對SOA性能曲線進行降額處理，否則可能導致意外的應用故障。但降額過程是保守的，因而針對高溫的降額可能導致實際SOA性能相比於資料手冊圖形出現很大損失。

Nexperia增強型SOA技術的另一個獨特優點是SOA性能和熱穩定性在較高的溫度下得到了顯著改進。在超過25°C的溫度下工作時，所需的降額水準顯著降低。此外，Nexperia針對每個ASFET類型進行了SOA的完全表徵。資料手冊提供了所有增強型SOA類型在25°C和125°C溫度下的SOA圖形，讓設計工程師能夠充分利用出色的高溫性能，同時在很多應用中無需對SOA曲線進行手動降額處理。

可靠的性能

在電信和PoE(乙太網供電)應用中，Nexperia的100 V增強型SOA技術廣泛用於管理浪湧電流。截至目前，我們的增強型SOA產品組合的出貨量超過了2億件，設計畫工程師可以確信自己選擇了最佳的性能和品質。瞭解Nexperia適用於熱插拔和軟啟動的ASFET，發現您可以實現的性能提升和空間節省。

關於Nexperia

Nexperia，作為生產大批量基礎半導體器件的專家，其產品廣泛應用於全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極體、雙極性電晶體、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)以及類比IC和邏輯IC。Nexperia總部位於荷蘭奈梅亨，每年可交付1,000多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。

憑藉幾十年來的專業經驗，Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務，並在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技(600745.SS)的子公司，擁有龐大的智慧財產權組合，並獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認證。