新思科技與台積電共同開發7奈米FinFE製程

新思科技宣布針對台積電7奈米FinFET製程，已完成多項DesignWare邏輯庫(Logic Libraries)及嵌入式記憶體(Embedded Memories)的客戶測試晶片之投片(tapeout)。

這也是雙方就台積電7奈米FinFET製程在DesignWare邏輯庫、嵌入式記憶體及介面IP的合作開發上邁向重大里程碑。長久以來，新思科技在台積電先進FinFET製程上成功完成IP開發，創造出高效能、低功耗的系統級晶片(SoC)，而此次雙方合作讓新思的IP發展再添一項紀錄。

台積電設計基礎架構行銷事業部資深協理Suk Lee表示，因在先進FinFET製程上擁有長久而成功的合作關係，讓彼此共同的客戶能以最低的風險將經矽晶驗證(silicon-proven)的高品質IP組合整合至SoC中。在台積電7奈米製程上達成多項新思科技DesignWare IP的客戶投片展現了雙方合作的效益，也讓設計人員在達成功耗、效能及面積目標上更具信心，同時加速產品上市時程。

新思科技IP暨原型建造行銷副總裁John Koeter指出，新思科技持續在先進的製程技術上讓客戶儘早取得IP，以協助設計人員納入必要功能及加速設計時程。藉由在台積電7奈米製程中完成多項DesignWare IP的客戶投片，新思科技協助設計人員降低整合風險，並利用最新科技使產品與眾不同。