新思與台積電開發低功耗40奈米eFlash製程IP

新思科技與台積電共同開發獲晶圓廠贊助的DesignWare基礎IP，內容包含邏輯庫和嵌入式記憶體，適用於台積電40奈米超低功耗及40奈米低功耗eFlash製程。新思科技這項用於台積電40奈米eFlash製程的基礎IP，可協助設計人員降低IoT設計的功耗。邏輯庫包含多重頻道閘極長度(gate length)和超低漏電標準元件，可將漏電功耗降至最低，此外也提供功耗優化套件及多位元正反器，能在近臨界電壓的操作下，讓額定電壓(nominal voltage)降至原本的60％。嵌入式記憶體則提供睡眠、休眠及關機3種功耗管理功能，能將漏電降至最低，另外也具備輔助電路，能實現最低的操作電壓。用於台積電40奈米eFlash製程的DesignWare邏輯庫及嵌入式記憶體IP可透過新思科技的「晶圓廠贊助IP計劃」取得，符合該計劃資格的客戶可從新思科技免費獲得IP的授權。

台積電設計基礎架構行銷事業部資深協理Suk Lee表示，新思科技是台積電長久的合作夥伴，持續在這樣的合作基礎上，提供適用於各式台積電製程、經矽晶驗證的高品質DesignWare IP，以協助雙方客戶達成設計目標。這套用於台積公司40奈米eFlash製程的新思科技基礎IP，說明新思科技對於IP開發不遺餘力，持續協助設計人員開發出能達到最佳功耗及晶片面積的SoC。

新思科技IP行銷副總裁John Koeter表示，與台積電保持密切合作，以符合設計人員在效能、功耗及晶片面積的特殊需求。這套由晶圓廠贊助、適用於台積電40奈米eFlash製程，並具備低功耗功能的DesignWare邏輯庫和嵌入式記憶體IP，能協助設計人員改善其IoT產品的能源效率，並延長電池的續航力。