宜普公司推40 V氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的40 V氮化鎵功率電晶體。

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC2049功率電晶體，應用於負載點(POL)轉換器、雷射雷達(LiDAR)、波峰追蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049電晶體的額定電壓為40 V、最大導通阻抗為5 mΩ及脈衝輸出電流為175 A。

與採用塑膠封裝的MOSFET相比，採用晶片級封裝的EPC2049氮化鎵場效應電晶體的散熱性能好很多，這是由於使用晶片級封裝的氮化鎵元件可以直接把熱量散出至環境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米(3.75平方毫米)。 不需要選擇設計更小型化還是性能更高的產品，而是二者可以同時兼得。

EPC公司執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示，EPC2049展示出EPC公司及其氮化鎵電晶體技術如何提升eGaN元件的性能之同時能夠降價。EPC2049進一步印證了eGaN與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在繼續擴大。