旺宏NOR快閃記憶體 形塑超高省電應用與發展

旺宏電子產品行銷處副處長黃盛絨(Donald Huang)博士

隨著半導體製程技術不斷演進，晶片的電晶體的密集度屢創新高之際，同步也朝向更省電的發展推進，旺宏電子(Macronix)自推出業界最快的SPI NOR Flash系列記憶體產品，以500MB/s傳輸速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃記憶體系列產品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌，現今旺宏以完整的產品線，進一步推出超低電壓的1.2V的SPI NOR快閃記憶體，在製程技術與超低功率消耗產品線上開創一個全新的里程碑，為智慧醫療與穿戴式裝置的的應用向前邁出重要的一步。

旺宏電子產品行銷處副處長黃盛絨(Donald Huang)博士接受這次專訪，在旺宏發展1.2V低電壓驅動的快閃記憶體的製程技術，豎立新的里程碑時，探討市場上對超低功率消耗應用的快速發展，並寄予厚望，他指出晶圓廠的邏輯線路製程已經大量採用40奈米以下的製程，核心電壓一舉朝向較低的0.9V以下電壓推進，降低核心電壓之舉，連帶讓具備超低電壓、超低功耗與小型封裝特性的半導體解決方案，進一步推升智慧醫療與穿戴式裝置的新型態的應用，也讓市場上的需求1.2V電壓驅動的記憶體裝置的需求，成為下一波記憶體市場的矚目焦點。

新的製程維持高效能與低耗電的設計，幫助智慧型應用與物聯網技術的大量普及，舉凡健康照護、穿戴式裝置與行動聯網裝置在市場上幾乎一呼百應，產品如雨後春筍般在市場上蔚為一股強大的發展趨勢，為了延長這些以電池驅動的小巧精密電子裝置的使用時間與續航力，以及更小體積電池的殷切需求，產業界開始使用新技術開發電池裝置，包進比現今最先進技術的鋰離子電池更多的電量，其驅動的電壓也只有在1.5V以下而已，加上諸如DDR4的動態記憶體也採用1.2V的驅動電壓，低電壓驅動的市場趨勢非常的明顯。

使用1.2V的低電壓NOR快閃記憶體，兼具成本與精簡設計的優勢

一旦直接使用1.2V的低電壓NOR快閃記憶體，可以省下其他元件的使用，或是讓微控器(MCU)的組合搭配更佳充裕與彈性，同時立即反映在成本與線路設計的精簡化的優勢，旺宏1.2V的NOR快閃記憶體的誕生可以直接搭配低電壓驅動的MCU、DRAM與感測器的電子元件，有效擴大旺宏的快閃記憶體的應用層面，補足在低電壓驅動產品線的重要一塊拼圖。

Macronix推出MX25S系列的1.2V串列型NOR快閃記憶體產品，採用標準串列型NOR快閃記憶體介面，具低電壓、超低功耗與小型封裝特性，MX25S的產品工作電壓範圍從1.14V到1.3V，適用於任何超低耗電的應用，提供可攜式產品持久的電池續航力，黃盛絨自豪的表示：「MX25S系列產品較標準串列型NOR快閃記憶體可節省超過60%的電力消耗」。

MX25S系列產品為了彰顯記憶體能在超低待機狀態的省電效能，一舉將Deep Power Down電流降到0.007μA的超級省電模式，同時當需要從Deep Power Down模式喚醒時，只需要35μS的時間就可以完成，反應速度令人滿意，而正常運作時，其主動電流最低可低到1.65mA，是目前業界的NOR快閃記憶體產品中，最令人激賞的規格。

輸出入端規格目前支援Multi-I/O、暫停／回復 (Suspend/Resume)功能，同時加上資料安全防護的Unique ID和Secured OTP的規格，涵蓋記憶體裝置最夯的使用規格。MX25S系列產品容量規劃從512Kb到64Mb的型號，初期以4Mb至16Mb範圍的產品為主力，並提供如WLCSP、WSON、USON與SOP等超小體積的封裝產品，亦可提供良裸晶KGD與MCU等控制器搭配，以16Mb的MX25S 1.2V NOR快閃記憶體為例，從41mm的8-pin SOP封裝面積，到使用WLCSP的封裝，面積可以小到只有3.1mm，滿足不同需求的應用。目前MX25S系列產品已經開始初步送樣，提供給客戶進行初步設計驗證，而旺宏的正式量產的規劃預計將於2018年的第1季季底開始全面展開，藉由低電壓製程技術的持續發展，旺宏也將持續打造低電壓驅動的產品組合，展現強大企圖心以掌握智慧醫療與穿戴式裝置所引領的超高省電的應用。