採用積體電路氮化鎵元件構建小型轉換器

採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)，例如EPC2045元件，可實現適用於高效運算及通信應用的小型、具成本效益及高效的非隔離型48 V-12 V轉換器。EPC9205被配置為一個同步降壓轉換器，當工作在48 V輸入電壓、12 V輸出電壓及10 A負載條件下，5 V至12 V的輸出電壓範圍及提供14安培輸出電流。

EPC 2045是第五代eGaN FET，額定電壓為100 V 、具7 mΩ導通阻抗，可連續提供16安培電流。EPC2045的外形尺寸差不多是等效矽基MOSFET的十分之一。選用
EPC2045元件，因為與等效矽基元件相比，它具有更低的寄生電容及開關更快速，而且就算在更高開關頻率工作時，也可實現最低的開關損耗。

EPC9205功率模組被配置為一個同步降壓拓撲，可容納兩個EPC2045 eGaN FET。EPC9205功率模組包含uPI半導體公司的全新半橋閘極驅動器積體電路(uPI1966A)、輸入及輸出濾波器、及電流與溫度感測器。具備高頻效能的eGaN FET大大降低濾波要求，從而可使用經過優化的、更小型化及具有更低損耗的輸出濾波感測器。

當在700 kHz頻率從48 V轉到12 V時，EPC9205在10 A負載、最高FET溫度為攝氏100度、400 LFM氣流下可實現96%的峰值效率。由採用矽MOSFET轉用eGaN FET的48 V轉到5 V至12 V的匯流排轉換器可以更小型化及成本可以更低，而同時保持或超越目標效率。可配合EPC9205的控制器包括TI的TPS53632G。如果EPC9205在多相系統配置，從而取得更高的輸出電流效能。