瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT

瑞薩電子宣布開發新一代Si-IGBT(矽絕緣柵雙極電晶體)，以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和300毫米產線上生產。此外，瑞薩位於日本甲府市工廠新的300毫米功率半導體產線也將從2024年上半開始量產，以滿足對功率半導體產品不斷成長的需求。

與目前的AE4 IGBT產品相比，AE5製程可降低10%功率損耗，有助於EV開發人員減少電池消耗並增加行駛里程。此外，新產品體積約縮小10%，同時保持高穩健性。瑞薩的新元件通過平衡低功率損耗和穩健性，實現了業界最高水準的IGBT效能。另外，新的IGBT最大限度地減少IGBT之間的參數變化，為並聯運作時提供更高的穩定性，顯著提高模組的效能和安全性。這些特點為工程師設計高效能的小型逆變器提供了更大的靈活性。

瑞薩電源系統業務部副總裁小西勝也表示，隨著EV的普及，對車用功率半導體的需求迅速增加。瑞薩的IGBT提供高可靠且強健的電源解決方案，這些解決方案基於過去這七年來在車規級電源產品的製造經驗。隨著最新元件即將量產，將為未來快速成長的中階EV逆變器提供最佳功能和性價比。

在EV中，驅動車輛的馬達由逆變器控制，而IGBT等切換元件對於最小化EV的功耗至關重要，因為逆變器將直流電轉換為電動汽車馬達所需的交流電。為了協助開發人員，瑞薩提供xEV逆變器參考解決方案，這是可直接使用的硬體參考設計，結合IGBT、微控制器、電源管理IC(PMIC)、柵極驅動器IC和快速恢復二極體(FRD)。瑞薩亦提供xEV逆變器套件，為實際的硬體套件。此外，瑞薩也有馬達參數校正工具和xEV逆變器應用模型和軟體，結合了用於控制馬達的應用模型和範例軟體。瑞薩的這些工具和支援計畫都是為了幫助客戶簡化軟體開發工作。瑞薩預計將新一代IGBT添加到這些軟硬體開發套件中，以在更小的空間內實現更高的功率效率和效能。