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化合物半導體應用成關注焦點 供應鏈齊聚探討未來發展

「化合物半導體前端製程關鍵技術研討會」,開場由創技工業張延瑜博士分享第SiC晶圓加工製程磨拋技術探討。台灣電子設備協會

隨5G與新能源等應用成另一波半導體市場顯學,化合物半導體產業發展也是市場近年極為重視的領域,有鑑於此,金屬工業研究發展中心與台灣電子設備協會於日前舉辦「化合物半導體前端製程關鍵技術研討會」,就製程設備、檢測與應用等各項環結進行完整且深入的探討。

創技工業張延瑜博士以矽化矽晶圓加工製造為題,分享碳化矽在製造端的研拋技術發展走向,從碳化矽的材料特性開始介紹,討論加工難度以及損傷層的影響,並介紹研磨、輪磨、拋光與電漿輔助加工 / 蝕刻製程的加工原理與設備。張博士表示,拋光技術可以分為單片拋光與批次拋光兩類。單以拋光速率來說,以單片拋光的作法居於領先,尤其是已有設備業者能達到24um/hr的水準,但若以整體產能表現來看的話,則是以選用大型批次拋光設備具優勢,以4吋晶圓來說,最高每小時可產出超過56片以上的晶圓。

抱樸科技丁肇誠董事長則是以晶片缺陷技術發展為題進行分享,性質厚度、薄膜內部的組成、折射率、絕緣與半絕緣與潔淨度等。丁董事長以3nm、5nm等FinFET電晶體結構為例,其內部的通道數是由薄膜的厚度來決定,至於厚度要如何測量,一般業界最標準的作法是採取TEM(穿透式電子顯微鏡)來處理。此外,他也介紹一些業界使用的非破壞性量測方法,像是Thermal wave技術,這種作法在業界也相當常見,再透過干射條紋所取得量測數值與理論值進行比對,藉此了解量測標的厚薄。

鴻鎵科技王興燁執行副總所討論的題目,是氮化鎵磊晶技術暨元件應用為題,廣泛地討論氮化鎵相關的技術發展與終端應用,像是氮化鎵本身就是適用於高頻、寬能隙、較高的導熱率等,皆會讓氮化鎵元件的特性達到較高的操作頻率與較高的操作溫度,甚至是較低的導通損耗等,以應用面來說,則會以對應的基板來互相搭配,若是以碳化矽做為基板,那麼氮化鎵就會適用於5G基地台射頻與衛星應用,以矽為基板,則是消費性電子、車用與電源供應器等為產品為主。

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