積極進行新材料開發　凱勒斯搶攻特殊高端應用市場商機

近年來，尤其碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)在材料特性上，均具有寬能隙(WBG)半導體材料特性，具通導損失低、崩潰電壓高、切換頻率快等優點。材料應用逐步跨入航天探測、電信基地台及汽車發動機、高頻率器件等高科技領域，並有機會成爲未來發展主軸。

現階段中，凱勒斯科技已開發完成碳化矽(SiC)4吋和6吋的加工作業，具備高移除率、高良率及低成本的生產加工作業製程，經由粗(快速減薄)、細(表面優化)研磨，搭配特殊LHA拋光墊，減少化學機械拋光(CMP)拋光加工作業時間，快速達到良好的Epi-Ready表面。

同時，也已開發完成氮化鎵(GaN)2吋和4吋的加工作業，搭配使用凱勒斯開發的特殊拋光液和拋光墊，不只減少化學機械拋光(CMP)作業時間，也克服後續清洗的困難度，進而提升產品的良率。

凱勒斯著重合作策略夥伴，與策略合作夥伴積極進行新材料開發，透過系統化的技術整合，持續提供新製程技術及新產品應用，成為具有競爭性及未來性的業界領航者，並看重碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)基板／晶圓在高科技領域部署，以積極搶攻未來特殊高階的應用市場商機。現有供應切割、鍵合、研磨及拋光等相關製程的材料與加工設備， 在碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)基板/晶圓的小量代工。