汎銓科技專注材料分析與電路修補 協助業者改善設計與製程　大幅提升良率與競爭力

由於目前電子裝置愈來愈小，因此材料分析服務的樣品處理愈來愈困難。無論是在樣品前置處理或是結構觀察階段，都必須仰賴高度精密儀器設備，如先進的聚焦離子束FIB設備、掃描式電子顯微鏡SEM、穿透式電子顯微鏡TEM等機台，從材料的橫切面、薄片等不同方式，觀察材料的結構或成份，才能符合目前日益微縮且日益複雜的製程技術。

汎銓科技以「材料界設計服務中心」(Material Design Service Center)為經營定位，不僅率先領先業界引進台灣第1、第2台應用於32奈米的FEI V600CE+機台，提供電路修補(Circuit Repair)服務，更引進全球最高階的Dual Beam聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)機台DB Helios 450S，擁有超高解析度的掃描SEM影像品質，提供更為快速且精確的材料分析服務。

汎銓科技表示，該公司係以材料的分析服務為技術核心與基礎，並提供研發、應用等附加價值的服務，以滿足客戶全方位的材料問題解決需求。尤其台灣業界one-stop shopping的產業服務趨勢，加上製程不斷地演進，因此汎銓科技在設備儀器方面的投資一直不遺餘力，隨時進行機台的追加與更新，期能提供業界最先進、最具效益、最值得信賴的分析服務。此外，汎銓亦率先採用OBIRCH數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與製程改善。

以汎銓的TEM為例，分析技術達到業界領先的20nm製程水準；而SEM解析度亦達到領先業界的0.9nm@1KV。此外，並擁有最先進的低角度背向電子(LABE)影像技術，及可提供超低電壓的電子束增加材料表面對比。SEM成分分析(EDS)先進設備提高Mapping速度與解析度，達到次微米水準(<1um)。

此外，針對目前半導體熱門的3D IC技術領域，汎銓在3D package失效分析方面也有布局。汎銓科技表示，3D IC失效的主要來源是TSV(矽穿孔)的缺陷，包含絕緣層Breakdown、Glue Layer的不完美及金屬填充的缺陷。利用OBIRCH、FIB、CP、SEM可觀察3D IC失效的TSV缺陷。

目前汎銓科技在新竹和上海張江高科技園區皆有實驗室，分析設備包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH，結構分析的FIB、FE-SEM、TEM、AFM，成份分析的AES、EDS等各種分析儀器，並以材料分析為基礎，協助產業界快速找出設計缺陷和故障成因，提供客戶量產支援服務。