磊拓與EpiWorld於Semicon展出SiC磊晶技術

圖為2012年PV Taiwan磊拓科技展出長晶設備、全自動晶棒加工系統。

Silicon Carbide(SiC碳化矽)與Gallium Nitride(GaN氮化鎵)同為備受矚目的寬能隙(Wide Bandgap)半導體材料，其中SiC與傳統矽基半導體相較具有3倍熱導效率、3倍能隙寬度以及10倍崩潰電壓的優異特性，成為大功率元件的最佳選擇，應用範圍遍佈電力傳輸系統、電動車以及鐵路運輸系統。

磊拓科技致力於整合SiC產業供應鏈，從最前端的高純度SiC原料、SiC PVT/CVD長晶設備、一直到SiC on SiC Epiwafer，提供客戶商業化的解決方案；此次Semicon Taiwan特別展示策略合作夥伴EpiWorld的3吋、4吋、6吋Epiwafer，以國際同步的品質與服務，成為台灣元件設計公司最佳的解決方案。

EpiWorld核心技術成員來自國際頂尖的SiC研發團隊，其整個技術團隊融合了中、美、日籍頂尖的SiC技術人才，同仁共擁有超過50年SiC研究開發與產業化經驗，Epiworld從2011年迄今共取得18項自有SiC磊晶相關專利，並獲得ISO9001/ISO14001/OHSAS18001品質管理系統認證；其深厚的SiC技術背景以及與世界接軌的品質管理已取得日本大型元件公司認可並穩定供貨中。

磊拓科技與EpiWorld邀請您參加Semicon Taiwan 2015，希冀您的參與並討論最新SiC磊晶技術發展與市場趨勢，加速SiC應用產業化的到來。展出時間：9月2日至4日；展位編號：南港展覽館；號碼：2831。