360°科技－High-k

為達效能提昇之目標，電介質材料的日趨薄化是趨勢，但當閘極電介質變薄，其絕緣品質便會降低，漏電流也會發生;假使不加以控制，會使得電晶體脫離完全的”開”及”關”狀態而進入”開”及”漏電”的情況。為了改善這種情況尋求適當的High-k材料以減少漏電，為1960年代以來電晶體進化史上最顯著的改變。

　High-k正是一種較厚而在未來幾年極有可能取代現今二氧化矽的技術。 High-k意指高介電常數，是用以衡量一種材料能儲存多少電荷。空氣是此一常數的參考點，其k值為1。High-k材料，如HfO2 ZrO2及TiO2，天生具有超過二氧化矽3.9的介電常數或k值。k值越高，電晶體之電容值也越高，使得電晶體能正確的切換於”開”或”關”狀態。

同時一種相容於High-k介電質之上的金屬閘極(Metal Gate)，Intel 於2003年提出以金屬閘極取代複晶矽以改善電極與絕緣體之間的缺陷密度，同時Intel發表 High-k/Metal-Gate預定將於2007用於45奈米製程技術節點。這些新材料能減少超過100倍的漏電流從而提高電晶體效能。(宋丁儀)相關報導見2版