DRAM廠停電事件

從2007年至今，DRAM產業共發生3次停電事件。第1次是三星電子(Samsung Electronics)在2007年8月器興廠發生停電事件，持續21小時，估計有5~6條生產線受到影響，損失金額約在400億~500億韓元(約4,200~5,300萬美元)間。

第2次是海力士(Hynix)在2008年5月在大陸無錫12吋晶圓廠發生停電，估計約4個小時，由於無錫廠約佔海力士全球整體DRAM產量約46%，因此那次包含生產線停電導致晶片受損等成本，總共損失高達1,600萬~1,800萬美元。

第3次則是24日下午發生的三星停電事件。三星南韓器興廠下午2:30發生停電，三星發言系統隨即公開表示，因為有前車之鑑，在馬上啟動不斷電系統(Uninterruptible Power System；UPS)之下，器興廠已恢復正常運轉，估計停電時間控制在1小時左右，因此造成的損失應不大，對相關產業影響應亦不大。

24日三星停電的廠房為Fab13和Fab14，此2座廠單月產能分別為12萬片和13萬片，生產DRAM和NAND Flash產品。目前Fab13和Fab14是三星在DRAM和NAND Flash上最大的生產基地。

其他受影響的產品還有非記憶半導體如LED等，因為三星LED公司向三星電子借調器興第3條生產線進行生產，因此這次LED產能恐受到池魚之殃。再者，也傳出Fab7、Fab8、Fab9等3座生產LSI產品的廠房也有發生停電，但此部分三星並未公開說明。(連于慧)