Via First和Via Last
- 李洵穎
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TSV製程以目前開發的技術及製程的先後順序，可分為先鑽孔(Via First)與後鑽孔(Via Last)；採用Via First製程均須在傳統後段封裝製程前進行導孔形成(Via Forming)與導孔充填(Via Filling)的步驟，而此類製程的Via Forming均需要透過黃光顯影與蝕刻步驟形成導孔。
Via Last製程則主要是在傳統後段製程前以雷射鑽孔方式進行Via Forming與後續的Via Filling步驟。由於導孔徑規格較蝕刻製程孔徑為大，使得I/O間距無法達成太小的規格，也造成晶片所能容納的腳數有限，因而適用於如影像感測器或快閃記憶體(Flash)等較低腳數的應用產品。(李洵穎)
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