台積電蔣尚義：14奈米面臨十字路口　EUV、雙重曝光2擇1

台積電研發資深副總蔣尚義表示，2012年初要針對14奈米製程做評估，究竟是要採用極紫外光微影製程(EUV)還是沿用Immersion 193機台，採多重曝光(multiple patterning)方式進行，將會影響2015年量產進度，同時也呼籲設備廠要多加把勁，因為目前EUV機台效能嚴重落後，同時2014年要決定10奈米製程技術，如果屆時EUV技術和多電子光束無光罩微影技術(multiple-e-beam maskless lithography；MEB)都無法量產，半導體製程演進將面臨相當大的挑戰。

EUV機台1台要價1億美元，造價相當昂貴，台積電近期已有1台試產的EUV機台進廠房，不過公司表示，EUV機台效能嚴重落後，目標是每小時產出100片晶圓，但現在EUV機台每小時只能產出5片晶圓，與預期相去甚遠。

據了解，艾司摩爾(ASML)提供給台積電的EUV機台為第2代NXE 3100機台，ASML未來會推出量產型機台NXE 3300機台，其量產型機台的曝光速度和瞄準率會更高。

蔣尚義表示，28奈米製程產品已開始Tape-Out，交貨的產品都是fully-function，預計2012年初量產，而20奈米製程預計於2012年第3季底量產，至於14奈米製程，預計2012年初要決定研發的技術。

蔣尚義進一步表示，14奈米製程究竟要選擇EUV技術或是沿用Immersion 193機台，採多重曝光(multiple patterning)方式進行，2012年初會決定，目前EUV機台效率不如預期，每小時只能產出5片晶圓，與預期的100片晶圓有很大距離，但若採用multiple patterning或是double patterning，一個動作要重複曝光2次，效率降低一半，會影響成本，導致客戶不願意導入新製程。

再者，2012年初決定14奈米的製程技術後，2015年14奈米會正式導入量產，因此14奈米製程究竟要選擇哪一項技術，之後就要一直沿用，此決定對台積電相當重要。

蔣尚義也指出，接下來2014年會決定10奈米製程是採用EUV技術或是MEB技術，但若屆時2種技術都無法成熟，半導體製程微縮會面臨相當大的挑戰，因此希望設備廠能加把勁，加速機台設備的效能。

台積電也強調，目前公司內部是EUV技術和MEB平行發展，沒有特定壓寶哪一項的問題。

再者，台積電18吋晶圓廠計畫原本規劃是在2015年，但目前18吋晶圓廠計畫決定延後，據了解，是設備機台尚無法達到既定水準。

美商應用材料(Applied Materials)企業副總余定陸則表示，認同台積電提出半導體產業黃金10年的看法，設備廠會協助客戶克服技術挑戰，並以創新為架構，提出全面性的整合解決方案協助晶圓廠降低技術風險。