矽鍺

矽鍺(silicon-germanium；SiGe)是一種合金，依矽和鍺的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用來當作積體電路(IC)中的半導體材料，可做成異質結雙極性電晶體或CMOS電晶體中的應變感應層(strain-inducing layer)。此新技術使混合訊號IC和類比IC在積體設計上多了選擇。

使用傳統的矽半導體器件製造技術即可在晶圓上形成SiGe。在CMOS製程方面，SiGe製程的成本和矽製程相當，但在異質接面技術方面，SiGe製程的成本比砷化鎵製程還要低。

近來，使用有機金屬氣相磊晶(MOVPE)沉積高純度的含鍺薄膜、SiGe和應變矽時，會使用只有少量危害的液體作為替代物，比如organogermanium前驅物。

矽鍺技術主要就是將微量的鍺摻入矽裡面，使元件速度提高，兼具砷化鎵高頻、低功率消耗及矽晶片低成本的優點，能製造出體積更小、效能更高且功耗更低的IC，特別適用於光纖網路及無線通訊應用。

此項技術結合了矽及鍺的電氣特性，能使電路交換速度增加1倍，並同時享有傳統矽晶的低成本和高整合優點。