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汎銓啟用新辦公室 擴展全方位分析能量

  • 吳冠儀台北

汎銓科技啟用新竹公道五路全新據點,董事長柳紀綸(中)表示,配合國際大廠投入7奈米以下製程,汎銓以兩岸完備的布局,提供及時的材料分析服務。
汎銓科技啟用新竹公道五路全新據點,董事長柳紀綸(中)表示,配合國際大廠投入7奈米以下製程,汎銓以兩岸完備的布局,提供及時的材料分析服務。

汎銓科技12月18日新竹正式啟用新辦公室,多位貴賓到場祝賀。創業14多年來,深耕半導體相關材料分析領域,長期穩定的客戶數近200家,每月處理研發案件量達數千筆,已是半導體等高階製程領航者。

近三年因應高階製程發展,尺寸微縮已至數個奈米等級,除了邏輯矽(Si)先進製程努力地延續摩爾定律外,摩爾定律演進過程中所未開發的部分,也隨著5G概念的興起與車用電子應用發展出第三類半導體,如GaN與SiC;物聯網低功耗的需求,促使半導體晶圓廠也積極開發新型記憶體。面對半導體等各種高階製程持續精進,汎銓科技已備妥相關MA(Material Analysis,材料分析)技術,且提供客戶由FA(Failure Analysis,故障分析)、MA到SA(Surface Analysis,表面分析)一站式服務來因應。

材料分析在小於7奈米製程的挑戰在於樣品的製備,最明顯的如超低介電材料(Low K)與7+奈米製程導入的EUV光阻,受限於材料天性,在使用電子顯微鏡觀察其微結構與成分時,容易因電子束的照射,導致樣品變形、倒塌,造成研發人員的誤判。使用汎銓科技早在數年前就開發出的原子層沉積技術(ALD),即可解決此一問題。

在5奈米製程進入量產,研發3奈米與2奈米製程也早已啟動,未來製程技術推進至低於1奈米也不無可能。除了鰭式場效電晶體(FinFET)架構的製程外,先進晶圓廠與國外著名研究機構也在數年前開始研發環繞閘極(GAA)的架構,期待未來能取代FinFET架構。汎銓科技在GAA架構研發上也沒缺席,目前與多家客戶合作,材料分析品質也深獲肯定。

展望未來,汎銓科技除了持續添購更高階的分析設備,更會積極研發先進製程分析工法,專注於擔負國際第一線大廠高階製程領航者。