三星HBM4進入NVIDIA最終測試 傳4奈米邏輯裸晶良率突破90%
- 陳玟靜／綜合報導
在三星電子（Samsung Electronics）即將進入NVIDIA第六代高頻寬記憶體（HBM4）最終品質測試之際，為配合正大幅提高HBM4產量的記憶體事業部，晶圓代工部門正在擴大邏輯裸晶（logic die）的晶圓投片量，並傳出良率已突破90%。
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