英飛凌採用全新EasyPACK C封裝碳化矽電源模組 助力工業應用能效

英飛凌CoolSiC MOSFET Easy 2C .XT。英飛凌

工業領域中的快速直流電動汽車（EV）充電、百萬瓦（MW）級充電、儲能系統，以及不斷電供應系統設備，往往需要在嚴苛環境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩定的功率迴圈能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。

為滿足這些需求，全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出了EasyPACK C系列產品 —EasyPACK 封裝家族的新一代產品。

該全新封裝系列的首款產品為碳化矽（SiC）電源模組，整合了英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2技術，並採用了公司專有的.XT互連技術。透過降低靜態損耗並提高可靠性，這些模組有助於滿足工業應用領域日益成長的能源需求，並助力實現永續發展目標。

憑藉英飛凌的CoolSiC MOSFET G2技術，新產品較上一代CoolSiC MOSFET功率密度提升超過30%，使用壽命延長高達20倍。此外，該產品的導通電阻（RDS(on)）顯著降低約25%。

不僅如此，全新的EasyPACK C封裝設計理念進一步提高了功率密度與布局靈活性，為未來更高電壓等級的產品設計奠定了基礎。而英飛凌的.XT互連技術進一步延長了元件的使用壽命。

該系列模組可承受接面溫度（Tvj(over)）高達200°C的超載開關工況。搭載全新PressFIT壓接引腳，其電流承載能力提升一倍，同時降低PCB板的溫度，並優化安裝流程。

全新的塑封材質與矽凝膠設計，支援該模組在最高175°C的接面溫度（Tvj(op)）下依然穩定運行。此外，該系列模組還具備一分鐘內耐受3 kV交流電的隔離等級。這些特性共同助力該模組實現更卓越的系統能效、更長的使用壽命，以及更出色的耐高溫性能。

採用EasyPACK C封裝的全新模組提供多種拓撲結構，包括三電平（3-level）和H橋（H-bridge）配置，且同時提供含／不含熱介面材料的兩種版本。

首款採用EasyPACK C 封裝且整合CoolSiC MOSFET G2技術的模組現已上市。英飛凌計畫進一步拓展產品組合，以滿足不同應用領域不斷變化的需求。更多資訊，敬請瀏覽官網。