SK海力士256GB伺服器DDR5 RDIMM首獲英特爾資料中心認證
SK海力士2025年12月18日宣布,將基於第五代10奈米級(1b)32Gb單片的256GB DDR5 RDIMM高容量伺服器DRAM模組應用於英特爾至強6平台(Intel Xeon 6 platform),業界首次通過了英特爾資料中心認證(Intel Data Center Certified)。
此次認證在位於美國的英特爾先進資料中心開發實驗室(Advanced Data Center Development Laboratory)完成。SK海力士經過數次的全方位評估,證實其產品與Xeon平台相結合時具備可靠的性能、相容性和品質。公司此前已於2025年1月獲得了基於第四代10奈米級(1a)16Gb的256GB產品認證。
SK海力士表示:「此次率先完成與引領伺服器CPU市場的英特爾最新伺服器平台的相容性驗證,證明公司的高容量DDR5模組技術已達到全球頂尖水準。將以此為基礎,深化與全球主要資料中心企業的合作,及時應對激增的伺服器客戶需求,鞏固下一代記憶體市場的領導地位。」
在下一代人工智慧(AI)基礎設施中,記憶體正成為決定性能的核心要素。近期AI推理模型不僅需執行簡單的回答生成,還需執行複雜的邏輯思考過程,即時處理的資料量正在指數級成長。為了高速穩定處理海量資料,必須具備高容量、高性能的記憶體,因此其市場需求也在激增。
SK海力士強調,該產品是符合市場需求的最佳解決方案。技術團隊表示:「搭載本產品的伺服器與採用32Gb 128GB產品時相比,推理性能提高了16%。通過利用32Gb DRAM單晶片設計,其功耗較1a 16Gb 256GB產品降低約18%。」因此,公司預計注重功耗效率的資料中心客戶將高度關注該產品。
SK海力士DRAM產品規劃擔當李相權副社長表示:「通過此次認證,公司鞏固了在DDR5伺服器DRAM市場的主導地位,也快速應對了客戶的要求。作為全方位面向AI的記憶體創造者,將積極應對高性能、低功耗、高容量記憶體需求的成長,致力於滿足客戶要求。」
英特爾公司平台架構(Platform Architecture)副總裁Dimitrios Ziakas表示:「雙方緊密合作顯著提升了技術成熟度,由此取得了良好成果,也為記憶體技術的發展做出了貢獻。高容量模組將有效應對AI工作負載(Workload)激增需求,大幅提升資料中心客戶所需的性能和效率。」







