SK海力士發布控溫散熱存儲技術「iHBM」 助力提升AI系統效率

SK海力士2026年5月26日宣布，公司發布「iHBM」技術。該技術通過在HBM封裝內集成一體化冷卻元件「ICE」，顯著降低產品運行時的發熱量。

伴隨AI算力需求持續激增，HBM不斷通過增加堆疊層數、提升運行速度來實現性能的反覆運算升級，同時也帶來發熱量攀升的難題。因此，有效控制連接HBM與GPU的D2D PHY區域的功率密度，正成為下一代HBM技術競爭力的核心。

iHBM技術的特點在於從結構層面根本性解決上述散熱難題。傳統HBM依賴熱量經由核心晶片（Core Die）向外傳導的間接散熱方式。iHBM的核心在於，直接在熱量最為集中的D2D PHY區域內嵌入熱控元件（ICE），構建專用熱量排出通道（Heat Path）。相較傳統方案，熱阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同時確保產品在高溫、高負載環境下的穩定運行特性。

該技術在量產可行性方面也具備顯著優勢。產品採用經市場充分驗證的先進MR-MUF晶圓級封裝（WLP）製程，可實現穩定規模化量產。此外，該技術與客戶現有系統級封裝（SiP）環境具備高度設計相容性，客戶無需進行大規模設計改動，即可直接部署，從而有效降低了實際導入門檻。

SK海力士計劃將iHBM技術應用於HBM5等下一代產品，以滿足高性能計算（HPC）、AI資料中心等超高度集成、高頻寬應用場景的嚴苛散熱管控需求，進一步提升整體系統的穩定性與運行效率。

SK海力士封裝開發擔當李康旭副社長表示：「iHBM結合記憶體設計與先進封裝技術，是實現產品最低發熱的最優方案。公司前瞻布局，持續提供AI環境下客戶所需的核心價值，進一步鞏固自身在面向AI的記憶體領域的領導地位。」