雙次堆疊技術有助提升3D NAND Flash良率 業者考量成本 各有不同規畫
3D NAND Flash層數增加 於薄膜蒸鍍製程面臨生產效能與沉積層彎曲課題 |
2017年全球3D NAND Flash產能將增118% 三星維持領先 |
MEMS麥克風於性能提升採下聲孔封裝相對有利 上聲孔方式亦持續改良
專利到期、價差縮減 帶動MEMS麥克風市場替代需求爆發成長 |
物聯網可望成為MEMS市場新成長動力 兩大廠商博世與意法半導體規劃發展重點 |
2017年UFS漸成高階手機用NAND Flash主流規格 2018年向中低階市場擴散
2017年全球3D NAND Flash產能將增118% 三星維持領先 |
3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術發展關鍵課題 |
3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術發展關鍵課題
Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力 然良率與成本問題待解決 |
3D NAND Flash朝垂直堆疊64層以上邁進 三星改採乾蝕刻可能性提升 |
原子層沉積適用於多層3D NAND Flash 然製程時間與成本增加為新課題
2016年下半3D NAND Flash供應商上看4家 三星仍將具產能與技術優勢 |
Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力 然良率與成本問題待解決 |
3D NAND Flash層數增加 於薄膜蒸鍍製程面臨生產效能與沉積層彎曲課題
東芝訂半導體事業虧轉盈目標 將發展64層3D NAND Flash與晶圓代工業務 |
2016年下半3D NAND Flash供應商上看4家 三星仍將具產能與技術優勢 |
Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力 然良率與成本問題待解決
2016年韓廠記憶體資本支出將連兩年下降 DRAM 18奈米製程為發展重點 |
東芝訂半導體事業虧轉盈目標 將發展64層3D NAND Flash與晶圓代工業務 |
TSV 3D IC技術與市場起飛仍需克服諸多挑戰 |
即時上市需求改變商業模式 台灣IC製造業將於TSV 3D IC領域爭取一席之地 |