格羅方德醞釀大擴產　搶先台積電氮化鎵技術授權進攻AI

格羅方德在台舉辦技術高峰會（GTS），多位高層分享技術布局，亞太區銷售副總裁馮曾文（左二）強調將與台灣科技群山加強合作。韓青秀攝

         
台積電預計2027年逐步退出氮化鎵（GaN）晶圓代工業務，晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries；GF）亞太區銷售副總裁馮曾文表示，當時為第一家主動接洽並取得其GaN技術授權的晶圓代工廠，除了針對高壓製程的專利與技術補充外，更重要的是讓既有客戶能「無痛移轉」到自家平台進行生產，隨著目前許多廠區產能已相當滿，GF重新規劃產品及產能配置，並將展開積極的全球擴產行動。

GF在台舉辦技術高峰會（GTS），馮曾文指出，GF過去在IBM微電子團隊時期，已累積化合物半導體研發實力，2025年與台灣在地晶圓夥伴進行技術授權，則為了因應高壓電源與高頻射頻（RF）市場的直接需求。

GF技術事業部門資深副總裁Tea Williams進一步表示：「沒有資料中心就沒有AI；而沒有電源管理GaN，就不會有未來的資料中心。」

由於GaN元件能涵蓋從800V高壓一路到極低電壓的多樣環境，目前高壓GaN已相對成熟，但在資料中心追求極致能效的趨勢下，伺服器電源架構正轉向低電壓GaN，GF現正攜手業界解決在低壓GaN大規模量產的可靠度難題，看好未來資料中心的成長需求。

GF也在矽光子領域的投入超過10年，Tea Williams指出，目前首要任務是提供多元封裝型態，業界的目標是要儘可能降低傳輸能耗，甚至達到小於1 pJ/bit。

近來業界高度關注的近封裝光學（NPO）與共同封裝光學（CPO）的發展，Williams認為，NPO能夠沿用現有成熟的產業生態系架構，在不顛覆既有系統供應鏈的前提下，顯著提升效能，且其採用的200G/lane技術已進入量產爬坡階段。

至於CPO，雖具備更優異的外型規格Form Factor與效能，但需要光學、電氣、熱力學與機械結構的高度精密整合，生態系將需數年持續發展。

對於400G的未來進展，未來的光互連解決方案不會是單一規格通吃，而是會形成涵蓋不同速度、不同外型規格的多元產品組合，到了2029~2030年，可望導入的Micro LED等次世代光電技術，GF將矽鍺（SiGe）與矽光子技術平台，提供靈活的異質整合選項，以支援AI運算架構在Scale-up與水平Scale-out的擴展。

馮曾文表示，台灣除了有「護國神山」，還有一整片「科技群山」，全球前十大IC設計公司中，台灣就佔有三家，加上大量中大型科技業者，都是未來希望進一步合作的對象。

雖然GF並未在台灣設有晶圓廠，但台灣半導體公司本來做的就是全球生意，GF能提供的價值在於「技術分散」與「生產地域分散」。台灣客戶要服務美國市場，可利用其在美國產能；亞洲市場則可連結新加坡廠與鄰近封裝供應鏈；若要進軍歐洲，GF也在20多年前就在德國德勒斯登建立製造基地。

馮曾文也表示，為配合關鍵新產品與客戶訂單的長期成長，GF正積極推動全球性的擴產與產能重新配置，不僅限於美國本土廠區，包括新加坡等主要製造基地也進行擴充，將能與台灣的科技群山形成絕佳的互補效益，並透露接下來將推動相當積極的擴產與產能規劃。

責任編輯：何致中