瑞薩科技開始量產 12 款功率 MOSFET,高效能封裝
近年來,由於電腦的普及,使伺服器的需求持續成長,而手機與網際網路的普及化,也使得通訊設備需求日漸增加,因此刺激了運用於上述設備之電源供應器的隔離式 DC-DC 整流器需求。另一方面,由於全球暖化因素以及節省能源考量,對於提升隔離式 DC-DC 整流器與電源供應器效率的需求,也逐漸提高。因此,對於降低運用於隔離式 DC-DC 整流器之功率 MOSFET 開關損耗的需求,也隨之增加。
瑞薩科技公司發表 12 款適用於隔離式 DC-DC 整流器,可用於伺服器、通訊設備、工業設備等電源供應器。新推出的功率 MOSFET 可降低開關損耗,提升能源效率並涵蓋多種電壓範圍(40 V、60 V、80 V、100 V)。於 2009 年 12 月 3 日開始量產。
上述 12 款新產品所採用的第十代製程,在先前針對導通電阻而設計的功率 MOSFET(主要用於非隔離式 DC-DC 整流器)產品中已證實其優點,並且經過最佳化,相較於瑞薩過去的產品,最高可使汲閘負載電容 (Qgd)降低 50%。汲閘負載電容 (Qgd) 是使功率 MOSFET 達到低開關耗損的關鍵特性。另外,高效能封裝(瑞薩科技封裝代碼:LFPAK)可降低封裝阻抗並提升散熱特性,進一步提升產品效能,使隔離式 DC-DC 整流器達到更高的效率並降低耗電量。
新款功率 MOSFET 的產品特色,相較於瑞薩科技過去的產品(RJK1056DPB,可承受100 V電壓),汲閘負載電容 (Qgd) 約降低50%,產品涵蓋多種電壓耐受範圍(40 V、60 V、80 V、100 V),高效能封裝提升效率。
新款 MOSFET 採用瑞薩科技經過實證的 LEPAK (瑞薩科技封裝代碼)高效能封裝, 可同時提供較低的封裝阻抗及優異的散熱特性,避免元件過熱。相較於傳統的 SOP-8 或類似封裝,此種封裝本身有助於產品的低損耗特性。內部的連接與框架直接相連,可降低封裝電感並確保適用於高頻率運作。
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