水平電鍍取得量產訂單 美商ACM Research三款設備布局面板級封裝

面板級先進封裝電鍍設備。美商ACM Research

AI晶片、高效能運算與小晶片（Chiplet）架構持續推升封裝面積，300mm圓形晶圓在材料利用率與產能規劃上的限制也隨之浮現。Yole資料顯示，2025年全球先進封裝市場營收成長17.8%，主要由生成式AI與高效能運算推動。細分至面板級封裝，Yole預估，2025年全球市場營收約3億美元，2031年可望成長至30億美元，6年成長10倍，年複合成長率約46.8%。以600×600mm面板為例，有效面積可達300mm矽晶圓的5.7倍，材料利用率逾95%，300mm矽晶圓則低於85%。

TrendForce指出，台積電CoPoS以310×310mm為主要規格，2026年進入設備與材料驗證期，預計2027年試產、2028下半年進入量產。目前面板級封裝仍有多種尺寸與基板材料並行，量產設備須兼顧材料相容性、翹曲、大面積均勻性與穩定度。美商ACM Research已完成電鍍、負壓清洗與邊緣蝕刻三款面板級設備布局，其中Ultra ECP ap-p近期取得量產設備訂單與新客戶評估訂單，Ultra C vac-p也已完成全球客戶出貨。

延伸濕製程與電鍍技術  回應大尺寸面板量產需求

面板級封裝並非單純放大晶圓製程，方形基板的電場分布、翹曲程度、藥液流動與搬運方式均與圓形晶圓不同，因此設備必須保留尺寸與材料配置的彈性，既有晶圓級製程參數難以直接沿用。面板面積增加後，局部膜厚差異、助焊劑殘留與邊緣殘銅的影響隨之放大，設備還要兼顧潔淨度與製程重複性。

美商ACM Research於1998年在美國矽谷創立，長年投入晶圓清洗、濕製程與電化學電鍍設備開發。近年，美商ACM Research將既有能力延伸至面板級規格。Ultra ECP ap-p負責銅、鎳、錫銀與金等金屬沉積，Ultra C vac-p處理凸點與小晶片周圍的助焊劑殘留，Ultra C bev-p則去除面板邊緣多餘金屬，形成涵蓋三項主要濕製程環節的產品組合。

兩張量產訂單到手  水平電鍍推進客戶生產線

三款設備中，Ultra ECP ap-p的商業化進度最為明確。2025年11月16日，美商ACM Research宣布首臺Ultra ECP ap-p已交付一家主要面板製造客戶。美商ACM Research表示，Ultra ECP ap-p為大型面板市場首套商用水平銅沉積系統。美商ACM Research董事長暨首席執行官王暉博士指出，此次交機可協助客戶推進扇出型面板級封裝技術。

2026年8月，Ultra ECP ap-p再取得中國既有先進封裝客戶的510×515mm量產設備訂單，預計2027上半年交付；亞洲一家主要面板製造商也下訂310×310mm評估設備，預計2026年第4季交付。首台交機、客戶評估及量產採購等進度在不到一年內陸續出現。

ACMR第2季財報也顯示，美商ACM Research已完成第2,000個ECP電鍍製程腔體出貨；這項數據涵蓋前段晶圓製程與封裝用ECP產品，反映整體電鍍技術的市場採用度。根據Gartner最新的數據，美商ACM Research的電鍍設備全球市佔率為9.6%, 全球排名第二。

技術層面，Ultra ECP ap-p採用水平式電鍍腔體，搭配專有的多負極局部控制技術，使方形電場與面板同步旋轉，藉此动态調整面板中央與邊角的電流分布，改善大面積沉積的膜厚均勻性。四面密封幹式接觸夾具可提高導電與面板固定的穩定度；內腔清洗機制與面板單獨傳輸設計，則能降低不同金屬鍍液之間的交叉污染。

設備可應用於大銅柱、常規凸塊、微凸塊與重佈線層（RDL）等製程，支援銅、鎳、錫銀及金等金屬，最多可配置16個電鍍室，並涵蓋310×310mm、510×515mm及600×600mm三種面板尺寸。Ultra ECP ap-p並於2025年獲得3D InCites Technology Enablement Award，技術創新獲得外部評選肯定。金屬沉積後，面板仍要進入晶粒接合、助焊劑清洗與底部填膠等流程，下一項量產難題是清除高密度互連結構狹小空間內的殘留物。

深入微小間隙  負壓清洗降低助焊劑殘留風險

GPU與HBM整合封裝的凸點數量與密度持續提高，晶粒接合後，助焊劑容易殘留在凸點底部與小晶片周圍。當凸點間距低於40微米，傳統清洗方式容易受到液體滲透能力限制，清洗液難以深入狹小間隙，引起助焊劑殘留，進而影響底部填膠與封裝可靠度。

Ultra C vac-p採用真空輔助清洗技術，提升清洗液進入凸點與小晶片周圍微小間隙的能力，可處理凸點間距與間隙高度低於20微米的精細結構。Ultra C vac-p可支援310×310mm、510×515mm及600×600mm有機與玻璃基板面板，配合不同客戶採用的面板規格與封裝架構。

Ultra C vac-p已於2024年7月取得中國主要半導體製造商訂單並完成出貨；2026年2月，美商ACM Research再取得中國以外一家全球主要半導體封裝業者的設備訂單，並於第1季按期完成出貨，反映負壓清洗已進入客戶產線評估與應用。Ultra C vac-p並於2025年獲得Global SMT & Packaging頒發的Global Technology Award清潔設備類別獎項。

雙面邊緣蝕刻 處理大尺寸面板殘銅與翹曲

Ultra C vac-p鎖定的是面板內部凸點與小晶片周圍的微小間隙，面板外緣則有另一類殘銅與污染問題。電鍍後若有金屬殘留在面板邊緣，可能造成電氣短路、微粒脫落及後續設備污染；面板翹曲也會增加蝕刻範圍控制與搬運難度。針對這項需求，Ultra C bev-p採用為方形面板設計的濕式邊緣蝕刻技術，將材料去除範圍控制在面板邊緣，並在單一系統內處理正面與背面的邊緣蝕刻。

Ultra C bev-p適用有機、玻璃與鍵合面板，可處理510×515mm至600×600mm面板，厚度範圍為0.5至3mm，翹曲最高10mm。設備邊緣控制精度達±0.5mm，控制範圍為0至20mm；六腔體配置下每小時可處理40片面板邊緣銅刻蝕，平均故障間隔時間為500小時，設備稼動率可達95%。Ultra C bev-p補足面板邊緣殘銅處理環節，降低電氣短路及後續製程污染風險。

三款設備對應製程需求 跟進客戶驗證與量產時程

面板級封裝目前仍處於多種尺寸規格並行與產線驗證階段，製程設備需要兼顧均勻性、翹曲控制、潔淨度與產能。Ultra ECP ap-p已涵蓋交機、評估與量產訂單，Ultra C vac-p亦累積全球封裝客戶出貨紀錄；Ultra C bev-p則補足面板邊緣濕法蝕刻環節，3款設備共同構成美商ACM Research目前在面板級濕製程的產品布局。