長鑫、長存傳儲備3年產能DUV設備 華為鏈續推進中國自主化
- 楊智家／綜合報導
中國拚半導體製造自主化，知情人士透露，近年積極囤積大量深紫外光（DUV）微影設備，中國記憶體製造商長鑫科技和長江存儲都已從ASML儲備足夠的DUV設備，以支應未...
會員登入
會員服務申請/試用
申請專線：
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
+886-02-87125398。
(週一至週五工作日9:00~18:00)
關鍵字
議題精選－長鑫記憶體大進擊
- 長鑫、長存傳儲備3年產能DUV設備 華為鏈續推進中國自主化
- 長鑫存儲HBM3良率仍卡25% 傳TSV技術經驗為硬傷
- 觀察：箝制反催中國造芯熱 華為麒麟重生、小米接力陪跑
- 長鑫：2H26續衝刺伺服器業務 DRAM供給仍吃緊
- 長鑫存儲進軍高階記憶體 小米打頭陣、蘋果傳合作、HBM求突破
- 三星HBM擴大供應、長鑫存儲崛起 全球記憶體版圖出現新變化
- 北方華創蝕刻技術突圍 中國3D DRAM開發EUV替代方案
- 字節跳動AI手機採雙供應商策略 三星、長鑫存儲分食記憶體訂單
- 觀察：中國打出記憶體三張牌 長鑫、長存、武漢新芯各自突圍
- 長鑫存儲LPDDR6全球首發塑造形象？ 實際性能、量產規模遭疑
- 長鑫HBM3E拚2027年量產 預料將成中國AI GPU堅強後盾
- 長鑫擴大全球徵才補齊DRAM人才鏈 布局延伸至日本
- 長鑫LPDDR6量產 中國記憶體廠拉近與DRAM三強代差
- 深度：川習會前科技戰變數 長鑫告美國防部的底氣何來？
- 突破美方封鎖 長鑫傳已小量生產HBM3E助攻中國本土AI晶片
- 長鑫存儲「合肥計畫」曝光 縝密竊取三星DRAM製程、人才
- 不滿被列軍事企業清單 長鑫存儲提告五角大廈
- 長鑫科技掛牌後首份財報亮眼 AI記憶體缺貨助攻1H26營收年增873%
- 長鑫存儲LPDDR6追平SK海力士？ 傳共同供貨小米旗艦機
- 中國DRAM追趕再進一步 長鑫存儲成功導入High-k材料
