瀚薪榮獲2015 TAITRONICS科技創新金牌獎

高效率整合型1200V碳化矽金氧半場效電晶體。

瀚薪科技成立於2013年，為聚焦碳化矽(Silicon Carbide；SiC)與氮化鎵(Gallium Nitride；GaN)等寬能隙材料基礎之高功率半導體元件及模組開發之設計公司，具備自主專利與技術。客戶涵蓋國內外電源供應器廠、太陽光電逆變器等電力電子系統業者，並積極與電動車輛及一階供應商進行設計合作，開發新一代綠能與電動車輛應用之關鍵高效率零組件及模組技術，就近提供即時而領先的技術開發與設計諮詢服務，支援穩定的高品質產品供應，協助客戶朝新能源與高效率應用設計方向躍進。

不同於傳統以矽材料為基礎之功率半導體，碳化矽功率半導體元件具備較低的導通損耗與切換損耗特性，有助變頻器？逆變器等電力電子應用系統效率之提升，更直接推進下世代綠色能源電力系統與電動車輛產業之發展。在全球面向節能減碳的發展趨勢下，基於碳化矽等寬能隙材料技術的功率半導體元件、模組及應用系統開發，已為國際功率與電力電子行業關注發展之焦點。

瀚薪科技以自主技術開發之650V系列與1200V系列高電流SiC蕭特基二極體(Junction Barrier Schottky Diode)產品，已陸續獲得日本及大陸客戶之承認，並為其電子系統帶來顯著之效能改善，促進客戶應用朝節能趨勢方向發展。近期瀚薪科技以自主專利技術，成功開發高效率整合型1200V SiC金氧半場效電晶體(MOSFET)，榮獲2015年「TAITRONICS科技創新獎」金牌獎之殊榮；本技術產品之成功開發，有望為電力電子系統帶來更優異之效能與成本優勢。