從缺陷定位到可靠分析 Tescan加速先進封裝失效分析

Tescan參展SEMICON Taiwan 2026，串聯Micro-CT、氣體輔助飛秒雷射、Plasma FIB-SEM與4D-STEM，縮短從缺陷定位到可靠分析的路徑。Tescan

隨著Chiplet、異質整合、先進封裝、高頻寬記憶體（HBM）及寬能隙功率元件加速發展，半導體元件的結構尺寸持續擴大、材料堆疊日益複雜，關鍵缺陷卻往往埋藏於封裝或元件內部。對失效分析實驗室而言，挑戰已不只是取得更高解析度，而是如何在非破壞定位、快速進入目標區域、精準樣品製備與奈米尺度分析之間，建立可追溯且高效率的完整流程。

Tescan將於2026年9月2至4日參加SEMICON Taiwan，在南港展覽館2館4樓R8201攤位，以「Streamlined Failure Analysis for Advanced Packaging」為主題，展示由Micro-CT、氣體輔助飛秒雷射、Plasma FIB-SEM與4D-STEM所構成的關聯式工作流程。

從四個階段縮短time-to-answer

此流程以Inspect、Access、Prepare、Analyze四個階段串聯分析任務。首先，Tescan UniTOM HR 2 Micro-CT透過非破壞3D成像協助觀察封裝內部結構、翹曲與潛在缺陷，讓工程師在破壞樣品之前掌握目標區域。完成定位後，Tescan FemtoChisel以氣體輔助飛秒雷射快速移除大量材料並進入埋藏區域，再由Tescan SOLARIS X 2 Plasma FIB-SEM在即時SEM影像導引下進行精準截面與樣品製備，最後透過Tescan TENSOR 4D-STEM取得奈米尺度的結構與材料資訊。

整合的價值不只在於單一工具速度，而在於不同階段之間能保留缺陷位置與樣品脈絡，減少反覆定位、重工及不必要的轉移風險。對研發、製程工程、良率提升及高產量製造環境而言，這有助於縮短從異常發現到根因判讀的時間，並提高後續分析結果的可信度。

飛秒雷射成為大型、複雜樣品的流程加速器

先進封裝結構與多材料堆疊使傳統樣品製備面臨處理量、加工時間及熱／機械損傷控制等限制。FemtoChisel針對半導體樣品製備與失效分析設計，可支援截面製備、去封裝、去層、腔體製備及大體積材料移除。氣體輔助飛秒雷射加工可提升材料移除效率，同時維持後續高解析SEM、FIB-SEM或TEM/STEM表徵所需的結構完整性與表面品質。

FemtoChisel論壇演講：From Hours to Minutes

2026年9月4日15:05–15:30，Tescan半導體解決方案業務發展總監Hervé Macé將於南港展覽館1館4樓 402會議室舉行的「半導體先進檢測與計量國際論壇」發表演講：Tescan FemtoChisel: From Hours to Minutes: High-Throughput Gas-Assisted Femtosecond Laser Workflows for Advanced Semiconductor Analysis and Characterization演講將說明氣體輔助飛秒雷射如何因應更大型的結構、複雜材料堆疊與快速周轉需求，支援截面製備、去封裝、去層、腔體製備及大體積材料移除，同時維持後續高解析表徵所需的樣品品質。

以現場互動連結技術與應用

除工作流程展示與論壇演講外，Tescan將於2026年9月2至3日上午10:00起在R8201攤位舉辦SPIN. MATCH. ENJOY.活動。參觀者可轉動輪盤，將不同Tescan技術與專屬特調配對，快速了解非破壞檢測、雷射存取與FIB-SEM樣品製備在整體流程中的角色，並與現場應用專家交流實際分析需求。