360°Research：RTP

RTP全名為Rapid Thermal Process，係指在半導體製造過程中，對半導體材料瞬間加溫，而後在冷卻的過程中，以較緩慢的速度降溫，以免因瞬間溫度改變而產生破片情形，此種加熱與冷卻的方式應用廣泛，目的則不同。

在CIGS太陽能電池製造中，RTP最主要應用在合成CIGS半導體化合物吸收層的過程，CIGS由銅、銦、鎵等3種金屬與非金屬硒共4種元素組成，在特定比例組成與500℃以上高溫下，會形成黃銅礦結晶的CIGS半導體。

在CIGS濺鍍製程中，先將銅銦鎵等金屬先驅物以濺鍍方式沉積在鉬金屬的背面電極上，再將金屬先驅層上鍍上一層硒，由於硒化反應要在溫度550℃下進行，玻璃板容易軟化而影響CIGS均一性，RTP是在硒化過程中的加熱方式，利用快速增溫與緩慢冷卻方式將金屬先驅層硒化，在幾次快速增溫與降溫週期合成CIGS半導體，這種方式可使表面反應溫度達550℃，而玻璃基板可保持在500℃以下，以減少玻璃軟化的影響。