英特爾Tri-Gate電晶體

英特爾(Intel)於2011年5月初正式宣布電晶體演進的重大突破，全球首款3D、3閘 (Tri-Gate)電晶體將進入量產階段。Tri-Gate電晶體將運用在英特爾即將上線的22奈米節點，將能配合電晶體的線路尺寸。

在一個英文句點大小的晶粒上，就能放入超過600萬個22奈米Tri-Gate電晶體，預計2011年底量產的22奈米Ivy Bridge系列Core處理器，將是第1批採用 Tri-Gate電晶體的量產晶片。

電晶體乃是現代電子產品中十分微小的基礎元件，英特爾於2002年首次公開命名為Tri-Gate的革命性3D立體電晶體設計。Tri-Gate電晶體意味著將完全擺脫2D平面電晶體結構，迄今為止，不僅所有電腦、手機、消費電子產品，甚至連汽車、飛機、家用電器、醫療設備、以及成千上萬種日常裝置內的電子控制元件，在過去數十年皆使用平面結構的電晶體。

Tri-Gate電晶體讓晶片能在更低的電壓下運作，且降低漏電，相較於先前最先進的電晶體，不僅效能提升且更加省電。

這些功能讓晶片設計人員掌握充裕彈性，能根據應用的需要選擇適合的電晶體，以達到低功耗或高效能的目標，22奈米的Tri-Gate電晶體在低電壓模式，其效能較英特爾的32奈米平面電晶體高出 37%，適用於各種迷你掌上型裝置，在運作時能減少電晶體在開啟/關閉反覆切換所耗費的電力。(陳玉娟)