SK海力士開始供應下一代面向AI的記憶體「HBM4E」12層堆疊樣品
- 鄭宇渟／台北
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SK海力士向主要客戶供應12層HBM4E樣品。SK海力士
SK海力士2026年6月18日宣布，公司已向主要客戶供應12層HBM4E樣品，該產品是面向人工智慧（AI）的下一代超高性能DRAM。SK海力士表示：「憑藉長期以來積累的HBM先導開發能力和量產經驗，公司成功向客戶提供12層HBM4E樣品。我們將與主要客戶緊密協作，致力於確保按時量產。」
此次新產品較上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升級。其引腳速率最高可達16Gbps，並將能效提高20%以上，顯著提升了AI訓練和推理所必需的資料處理能力。
HBM4E採用先進MR-MUF技術，兼具高性能、高能效與高穩定性。SK海力士
此外，HBM4E通過新一代介面和設計優化，有效降低了資料傳輸延遲，即使在高頻寬環境下也能保持穩定運行。公司預計，這將能進一步提升下一代AI資料中心和大規模計算系統的處理效率。
公司在HBM4E產品採用了先進（Advanced）MR-MUF製程，通過12層堆疊實現48GB容量的同時，進一步提高了結構穩定性。與HBM4相比，其熱阻降低了約17%，確保了在高性能計算環境中的穩定運行。
SK海力士憑藉在HBM3、HBM3E和HBM4上積累的量產和供應經驗，始終能夠適時提供 符合客戶需求的記憶體解決方案。公司將繼續依託經市場認可的品質和供應能力，針對HBM4E產品也繼續與客戶攜手解決AI系統瓶頸問題，全力支援下一代基礎設施的構建。
SK海力士開發總管（ Chief Development Officer；CDO）安炫社長表示：「我們將把迄今為止所積累的業界領先技術競爭力和量產能力延續至HBM4E產品，夯實持續引領AI創新的基礎。公司將通過與合作夥伴的緊密協作，以前瞻性布局實現市場所需價值，進一步鞏固作為『全方位面向AI的記憶體創造者』的技術領導地位。」
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